Россия использует для производства ракет электронные компоненты, произведенные в США, Швейцарии, Германии и Японии, однако именно на Соединенные Штаты приходится 81% такой микроэлектроники. Об этом говорится в новом документе санкционной группы Ермака-Макфола, который получила в свое распоряжение LIGA.

По данным группы Ермака-Макфола, в составе крылатых ракет воздушного базирования Х-101 содержится не менее 53 типов ЭКБ (микросхемы, чипы и т.д.) производства иностранных компаний. 

В частности, это компоненты таких компаний, как STMicroelectronics (Швейцария), Vicor (США), XILINX (США), Intel Corporation (США), Texas Instruments (США), ZILOG (США), Maxim Integrated (США) и Cypress Semiconductor (США).

Для производства крылатых ракет морского базирования 3М-14 “Калибр” используется не менее 45 типов ЭКБ иностранного производства.

Баллистические ракеты 9М723 и крылатые ракеты 9М728/9М729 из состава комплекса “Искандер” оснащаются как минимум 15 и 32 типами иностранной ЭКБ соответственно. 

В составе аэробаллистических ракет Х-47М2 “Кинжал” используется не менее 48 иностранных компонентов.

А в российской ракете “Торнадо-С”, в частности в головной части, обнаружили чип, изготовленный всемирно известной американской компанией Intel.

Подавляющее большинство иностранной электронной компонентной базы, которая используется Россией для производства ракет, произведена в США — 81%.

Вторая по величине доля после США — у электронных компонентов, произведенных в Швейцарии (8%). По 3,5% — у Германии и Японии.